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晶体管
SQD19P06-60L_GE3参考图片

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SQD19P06-60L_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 60V 20A 46W AEC-Q101 Qualified
  • 数据手册下载
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库存:146,283(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.2209
11.2209
10
¥9.2208
92.208
100
¥7.1303
713.03
500
¥6.1359
3067.95
2,000
¥4.9268
9853.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
55 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
27 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
46 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.38 mm
长度
6.73 mm
系列
SQ
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
20 S
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
7 ns
单位重量
1.438 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 650A
1:¥867.1394
5:¥851.229
10:¥812.8881
25:¥785.8472
参考库存:3170
晶体管
MOSFET N-channel 80 V, 4.2 mOhm typ., 110 A STripFET F7 Power MOSFET in an H2PAK-2 package
1:¥14.2154
10:¥12.0684
100:¥9.6841
500:¥8.4524
1,000:¥7.0286
参考库存:8157
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 11A DPAK-2 CoolMOS C7
1:¥17.063
10:¥14.5205
100:¥11.6051
500:¥10.1474
1,000:¥8.3733
2,500:¥8.3733
参考库存:15659
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS8
1:¥147.6119
10:¥134.1649
25:¥124.0966
50:¥117.3392
参考库存:3346
晶体管
MOSFET Dual N-channel 60 V, 9 mOhm typ., 57 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 double island package
1:¥6.4523
10:¥5.3675
100:¥3.4578
1,000:¥2.7685
3,000:¥2.3391
参考库存:3203
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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