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晶体管
SIHB11N80E-GE3参考图片

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SIHB11N80E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 800V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
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数量单价合计
1
¥29.5043
29.5043
10
¥24.4306
244.306
100
¥20.1366
2013.66
250
¥19.5151
4878.775
500
¥17.515
8757.5
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
D2PAK-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
440 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
88 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
179 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
系列
E
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
4.5 S
下降时间
18 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
55 ns
典型接通延迟时间
18 ns
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STP24NM60N
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II
1:¥21.5152
10:¥18.2834
100:¥14.5996
500:¥12.8368
参考库存:9516
RW1C020UNT2R
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET SW MOSFET MID PWR N-CH 20V 2A
1:¥4.4522
10:¥3.6951
100:¥2.2487
1,000:¥1.7402
8,000:¥1.3786
24,000:查看
参考库存:54255
JANTXV2N3866
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥204.9368
300:¥188.0998
500:¥179.0372
参考库存:54260
2N6278
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥1,354.6101
参考库存:54265
JANTX2N4261/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥366.4477
250:¥342.0171
参考库存:54270

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    50万现货SKU

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