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晶体管
FCP400N80Z参考图片

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FCP400N80Z

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库存:9,499(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥20.2835
20.2835
10
¥17.2099
172.099
100
¥13.7521
1375.21
500
¥12.0684
6034.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
14 A
Rds On-漏源导通电阻
400 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V, 30 V
Qg-栅极电荷
43 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
195 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
SuperFET II
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FCP400N80Z
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
12 S
下降时间
2.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
51 ns
典型接通延迟时间
20 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch, 600V-0.85ohms 7A
1:¥21.6734
10:¥18.3625
100:¥14.7578
500:¥12.9046
参考库存:5763
晶体管
JFET SS SOT23 JFET NCH 30V TR
1:¥4.6104
10:¥3.8081
100:¥2.4634
1,000:¥1.9662
3,000:¥1.6724
参考库存:15245
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥553.248
10:¥461.04
25:¥414.936
50:¥368.832
参考库存:4472
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Triple Diffused Planar Silicon
1:¥8.2942
10:¥7.0512
100:¥5.4127
500:¥4.7912
参考库存:9374
晶体管
MOSFET 40V N-Ch NexFET Pwr MOSFET
1:¥9.9101
10:¥8.4524
100:¥6.4975
500:¥5.7404
参考库存:7436
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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