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晶体管
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FDPC5018SG

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库存：15,149(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.526
11.526
10
¥9.7632
97.632
100
¥7.8422
784.22
500
¥6.8591
3429.55
3,000
¥5.2997
15899.1
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Power-56-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
56 A, 109 A
Rds On-漏源导通电阻
7 mOhms, 2.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V, 12 V
Qg-栅极电荷
17 nC, 62 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
23 W, 29 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
PowerTrench Power Clip
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
6 mm
系列
FDPC5018SG
宽度
5 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
93 S, 188 S
下降时间
2 ns, 4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2 ns, 5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18 ns, 38 ns
典型接通延迟时间
8 ns, 14 ns
单位重量
207.730 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VS-GB400AH120N
Vishay Semiconductors
晶体管
IGBT 模块 Output & SW Modules - DIAP IGBT
暂无价格
参考库存:43651
STGW60H65DFB-4
STMicroelectronics
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed
1:¥64.0032
10:¥57.856
25:¥55.1666
100:¥47.8668
参考库存:11546
APTGT300A120G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥1,310.2802
参考库存:43658
IKP20N60TA
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
500:¥15.142
1,000:¥12.7577
2,500:¥12.1362
5,000:¥11.6842
参考库存:43663
FS25R12YT3
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 40A
20:¥437.6038
40:¥423.5466
60:¥423.4675
100:¥392.4264
参考库存:43668

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

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