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晶体管

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EFC2J013NUZTDG

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET NCH 12V 17A WLCSP DUAL
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数量单价合计
1
¥4.3844
4.3844
10
¥3.616
36.16
100
¥2.2035
220.35
1,000
¥1.7063
1706.3
5,000
¥1.4577
7288.5
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
WLCSP-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
37 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.8 W
配置
Dual
通道模式
Depletion
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
EFC2J013NUZ
晶体管类型
Dual N-Channel MOSFET
商标
ON Semiconductor
下降时间
73 us
产品类型
MOSFET
上升时间
26 us
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
130 us
典型接通延迟时间
11 us
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JAN2N6300
Microsemi
晶体管
达林顿晶体管 Power BJT
100:¥274.0928
250:¥255.7981
参考库存:52523
1214-32L
Microsemi
晶体管
射频(RF)双极晶体管 L-Band/Bipolar Radar Transistor
10:¥2,347.5411
25:¥2,314.6468
参考库存:52528
JAN2N3635UB
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥140.7754
250:¥128.3228
500:¥120.0964
参考库存:52533
BSM200GA120DLCS
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 1200V 200A SINGLE
10:¥945.2902
30:¥925.4587
50:¥925.3796
100:¥879.1287
参考库存:52538
FZT593TA
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Medium Power
1:¥4.8364
10:¥4.0454
100:¥2.6103
1,000:¥2.0905
参考库存:32776

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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