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晶体管
SIZ346DT-T1-GE3参考图片

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SIZ346DT-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3
  • 数据手册下载
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库存:30,104(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.6048
5.6048
10
¥4.5426
45.426
100
¥3.4465
344.65
500
¥2.8476
1423.8
3,000
¥2.0679
6203.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAIR-3x3-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
17 A, 30 A
Rds On-漏源导通电阻
11.5 mOhms, 28.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V, 2.4 V
Vgs - 栅极-源极电压
- 16 V, 20 V
Qg-栅极电荷
6.6 nC, 10 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
16 W, 16.7 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SIZ
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
17 S
下降时间
7 ns, 8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns, 40 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
7 ns, 17 ns
典型接通延迟时间
7 ns, 8 ns
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DIGITL PNP 50V 30MA
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:44743
晶体管
MOSFET PFET 2X2 20V 4.1A 106MOHM
1:¥3.6838
10:¥3.0284
100:¥1.8532
1,000:¥1.4238
3,000:¥1.2204
参考库存:16550
晶体管
MOSFET Trench Mosfet 20V, N-channel
1:¥3.6838
10:¥2.3843
100:¥1.02152
1,000:¥0.78422
10,000:¥0.52997
20,000:查看
参考库存:90312
晶体管
达林顿晶体管 PNP Epitaxial Darl
1:¥17.289
10:¥14.6787
100:¥11.752
500:¥10.2943
1,000:¥8.5315
参考库存:3744
晶体管
达林顿晶体管 2A 100V Bipolar Power NPN
1:¥4.8364
10:¥4.0228
100:¥2.4521
1,000:¥1.8984
参考库存:10226
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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