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晶体管
SIRA10BDP-T1-GE3参考图片

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SIRA10BDP-T1-GE3

  • Vishay Semiconductors
  • 新批次
  • MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
  • 数据手册下载
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库存:27,154(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.4523
6.4523
10
¥5.2319
52.319
100
¥3.9776
397.76
500
¥3.277
1638.5
3,000
¥2.3843
7152.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
3.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
24.1 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
43 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
SIR
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
68 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
7 ns
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP SOT-23 4.7kO Input Resist
1:¥1.7628
10:¥1.1752
100:¥0.49155
1,000:¥0.33787
3,000:¥0.26103
参考库存:19070
晶体管
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥6.4523
10:¥5.5596
100:¥4.2601
500:¥3.7742
2,500:¥2.6442
10,000:查看
参考库存:3832
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥10.1474
10:¥8.6106
100:¥6.6105
500:¥5.8421
1,000:¥4.6104
参考库存:5824
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRNS DOUBL RET TAPE7
1:¥2.4634
10:¥1.7176
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:142826
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP Digital Transtr w/built in resistors
1:¥2.0001
10:¥1.3108
100:¥0.5537
1,000:¥0.37629
3,000:¥0.29154
参考库存:18578
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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