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晶体管
NVATS5A112PLZT4G参考图片

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NVATS5A112PLZT4G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET PCH 4V DRIVE SERIES
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库存:27,798(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.3789
7.3789
10
¥6.2489
62.489
100
¥4.8025
480.25
500
¥4.2375
2118.75
1,000
¥3.3448
3344.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ATPAK-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
27 A
Rds On-漏源导通电阻
33 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.6 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
33.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
48 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 P-Channel
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
24 S
下降时间
120 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
80 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
150 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 100V NCh PowerTrench
1:¥15.368
10:¥13.0628
100:¥10.4525
500:¥9.1417
1,000:¥7.5597
2,500:¥7.5597
参考库存:12227
晶体管
MOSFET 25/12V Dual Cool PowerTrench MOSFET
1:¥15.4471
10:¥13.0628
100:¥10.4525
500:¥9.2208
3,000:¥7.0625
6,000:查看
参考库存:18509
晶体管
MOSFET 60V 12A 10 OHM NCH POWER TRENCH MOSFET
1:¥12.5204
10:¥10.7576
100:¥8.2264
500:¥7.2546
1,000:¥5.7291
2,500:¥5.7291
参考库存:4251
晶体管
IGBT 模块 N-CH 3.3KV 1KA
1:¥11,753.9097
参考库存:4118
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1200V 600A
1:¥972.6362
5:¥953.5053
10:¥909.0963
25:¥889.9654
参考库存:4170
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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