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晶体管
SIHJ6N65E-T1-GE3参考图片

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SIHJ6N65E-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK SO-8L
  • 数据手册下载
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库存:34,436(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥16.3624
16.3624
10
¥13.6052
136.052
100
¥10.5316
1053.16
500
¥9.2208
4610.4
3,000
¥9.2208
27662.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8L-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
5.6 A
Rds On-漏源导通电阻
755 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
16 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
74 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
E
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
17 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
14 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
14 ns
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥3.3787
10:¥2.6329
100:¥1.4238
1,000:¥1.06785
3,000:¥0.92208
参考库存:21178
晶体管
MOSFET PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
1:¥8.5315
10:¥7.2885
100:¥5.5935
500:¥4.9381
3,000:¥3.4578
9,000:查看
参考库存:19930
晶体管
MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM
1:¥31.8886
10:¥27.0522
100:¥23.4362
250:¥22.2836
500:¥19.9784
参考库存:4927
晶体管
MOSFET N-Ch 200V 21A D2PAK-2
1:¥15.9104
10:¥13.5261
100:¥10.8367
500:¥9.4468
1,000:¥7.8422
参考库存:9784
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
1:¥57.5509
10:¥52.0252
25:¥49.5618
100:¥43.0304
1,000:¥32.657
2,000:查看
参考库存:9616
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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