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晶体管
SQS850EN-T1_GE3参考图片

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SQS850EN-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
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库存：17,504(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.6049
7.6049
10
¥6.8139
68.139
100
¥5.424
542.4
500
¥4.2375
2118.75
3,000
¥3.1866
9559.8
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-1212-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
18 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
41 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
33 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
3.3 mm
系列
SQ
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
33 S
下降时间
9.3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9.6 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
9 ns
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DDTA125TUA-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 200K
3,000:¥0.27685
9,000:¥0.23843
24,000:¥0.22261
45,000:¥0.20792
参考库存:46179
2N5021
InterFET
晶体管
JFET P-Ch -50V JFET 50mA 500mW 4mW 1nA
1:¥93.4397
10:¥76.614
100:¥63.5512
500:¥57.9351
参考库存:46184
NGTD23T120F2SWK
ON Semiconductor
晶体管
IGBT 晶体管 1200V/30A CJ52 FAST IGBT
206:¥21.8994
250:¥20.8259
500:¥18.6676
1,000:¥15.7522
参考库存:113964
VS-GA200TH60S
Vishay Semiconductors
晶体管
IGBT 模块 Output & SW Modules - DIAP IGBT
12:¥2,773.8449
参考库存:46191
DSC750500L
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPLR PW TRANS FLAT LEAD 4.5x4.0mm
1,000:¥2.6329
参考库存:46196

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    50万现货SKU

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