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晶体管
RGPR10BM40FHTL参考图片

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RGPR10BM40FHTL

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 430V 20A 1.6V Vce Ignition IGBT
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数量单价合计
1
¥11.4469
11.4469
10
¥9.831
98.31
100
¥7.5032
750.32
500
¥6.6331
3316.55
1,000
¥5.2319
5231.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-252-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
460 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
10 V
在25 C的连续集电极电流
20 A
Pd-功率耗散
107 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RGP
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
20 A
商标
ROHM Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
0.6 mA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
IGBTs
零件号别名
RGPR10BM40FH
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicon Trnsistr
1:¥3.1527
10:¥2.6329
100:¥1.6159
1,000:¥1.243
参考库存:25995
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR NPN 50V
1:¥2.8476
10:¥1.8306
100:¥0.78422
1,000:¥0.60681
3,000:¥0.46104
参考库存:9197
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS5
1:¥644.6085
5:¥623.8617
10:¥604.3466
25:¥576.1418
参考库存:2889
晶体管
JFET N-Ch JFET -25V 50mA 360mW 3.27mW
329:¥21.5943
500:¥19.3682
1,000:¥16.3624
2,500:¥15.5262
参考库存:48725
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60 V, 2 A NPN low VCEsat (BISS) transi
1:¥3.2318
10:¥2.2713
100:¥1.04525
1,000:¥0.80682
5,000:¥0.68365
参考库存:27206
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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