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晶体管
SCT2750NYTB参考图片

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SCT2750NYTB

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 1700V 6A 57W SiC Silicon Carbide
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库存:16,904(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥47.3357
47.3357
10
¥40.2619
402.619
100
¥34.8831
3488.31
250
¥33.1203
8280.075
400
¥29.6625
11865
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
SiC
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-268-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
1700 V
Id-连续漏极电流
6 A
Rds On-漏源导通电阻
750 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.6 V
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 22 V
Qg-栅极电荷
17 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
57 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SCT2x
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ROHM Semiconductor
正向跨导 - 最小值
600 mS
下降时间
63 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
24 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
41 ns
典型接通延迟时间
19 ns
零件号别名
SCT2750NY
单位重量
4 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2V09H400-04N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
250:¥782.0052
参考库存:39604
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS7
25:¥468.95
50:¥455.8872
100:¥443.5928
参考库存:39609
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 50V PNP 45Vceo 5.0Vebo 100mA 350mW
17,500:¥0.3842
28,000:¥0.3616
52,500:¥0.33787
101,500:¥0.29154
参考库存:39614
晶体管
MOSFET 650V N channel Mosfet
4,000:¥3.1979
5,000:¥3.0397
10,000:¥2.9719
25,000:¥2.9154
参考库存:39619
晶体管
JFET JFET N-Channel Reel of 1000
1,000:¥8.7575
2,000:¥7.8422
10,000:¥7.4919
参考库存:39624
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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