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晶体管
STW48N60M2-4参考图片

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STW48N60M2-4

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 600 V, 0.06 Ohm typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO247-4 package
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库存:1,674(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥70.9188
70.9188
10
¥64.1614
641.614
25
¥61.1669
1529.1725
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
42 A
Rds On-漏源导通电阻
60 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
70 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Tube
系列
STW48N60M2-4
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
119 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
17 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns
典型接通延迟时间
18.5 ns
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 600V UltraFast 10-30kHz
1:¥22.4418
10:¥19.0518
100:¥15.2098
500:¥13.3679
参考库存:9250
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS GP XSTR DUAL 40V
1:¥2.9154
10:¥2.1696
100:¥1.1752
1,000:¥0.88366
3,000:¥0.76049
9,000:¥0.71416
参考库存:52812
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Medium Power
1:¥5.1528
10:¥4.2827
100:¥2.7685
1,000:¥2.2148
参考库存:135289
晶体管
IGBT 晶体管 1200V UltraFast 5-40kHz
1:¥48.3301
10:¥41.0303
100:¥35.5724
250:¥33.7305
参考库存:6281
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.085 typ., 30 A MDmesh DM6 Power MOSFETs in TO-220 and TO-247 packages
1:¥47.5617
10:¥43.0304
25:¥41.0303
100:¥35.5724
参考库存:9483
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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