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晶体管
IPG16N10S4-61参考图片

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IPG16N10S4-61

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库存:26,055(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.8365
6.8365
10
¥5.7517
57.517
100
¥3.7064
370.64
1,000
¥2.9606
2960.6
5,000
¥2.5086
12543
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
16 A
Rds On-漏源导通电阻
53 mOhms, 53 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
7 nC, 7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
29 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
XPG16N10
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
5 ns, 5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
1 ns, 1 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
5 ns, 5 ns
典型接通延迟时间
3 ns, 3 ns
零件号别名
IPG16N10S461ATMA1 IPG16N1S461XT SP000892972
单位重量
100 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 80V 110A 375W
1:¥35.9566
10:¥29.8094
100:¥24.5097
250:¥23.7413
800:¥17.9783
2,400:查看
参考库存:57034
晶体管
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323
1:¥2.7685
10:¥1.7628
100:¥0.76049
1,000:¥0.58421
3,000:¥0.44522
参考库存:14106
晶体管
MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥14.4414
10:¥11.9893
100:¥9.2999
500:¥8.1473
1,000:¥6.7687
3,000:¥6.7687
参考库存:47018
晶体管
IGBT 模块 IGBT-MODULE
1:¥155.2959
10:¥142.7642
25:¥136.8543
100:¥120.5597
参考库存:2775
晶体管
MOSFET 40V P-Channel Power Trench Mosfet
1:¥6.3732
10:¥5.4466
100:¥4.1923
500:¥3.7064
2,500:¥2.5877
10,000:查看
参考库存:9317
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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