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晶体管
STB37N60DM2AG参考图片

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STB37N60DM2AG

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET Automotive-grade N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a D2PAK package
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库存:1,729(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥35.3464
35.3464
10
¥30.0467
300.467
100
¥26.0465
2604.65
250
¥24.6679
6166.975
1,000
¥18.6676
18667.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
28 A
Rds On-漏源导通电阻
110 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
54 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
210 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
MDmesh
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.6 mm
长度
10.4 mm
产品
Power MOSFET
系列
STB37N60DM2AG
类型
High Voltage
宽度
9.35 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
10.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
17 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
68 ns
典型接通延迟时间
21.2 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 25V 20A 7.5mOhm N-Ch PowerTrench
1:¥12.3735
10:¥10.5994
100:¥8.1473
500:¥7.1642
3,000:¥5.0059
9,000:查看
参考库存:14968
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
1:¥46.2622
10:¥38.2618
100:¥31.5044
250:¥30.51
参考库存:9125
晶体管
MOSFET SF2 600V 41MOHM E TO247
1:¥64.6247
10:¥58.3984
25:¥55.6299
100:¥48.3301
参考库存:7162
晶体管
MOSFET 20V 6.1A 2.5W 45mohm @ 4.5V
1:¥6.7574
10:¥5.5822
3,000:¥5.5822
参考库存:19844
晶体管
MOSFET N-Chan 400V 10 Amp
1:¥22.2045
10:¥18.4416
100:¥14.2945
500:¥12.5204
800:¥10.3734
参考库存:8586
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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