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晶体管
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FDV303N

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库存:878,804(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.9154
2.9154
10
¥2.0001
20.001
100
¥0.83733
83.733
1,000
¥0.56839
568.39
3,000
¥0.44522
1335.66
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
680 mA
Rds On-漏源导通电阻
450 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
350 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.2 mm
长度
2.9 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
FDV303N
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
1.3 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
1.45 S
下降时间
8.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8.5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
17 ns
典型接通延迟时间
3 ns
零件号别名
FDV303N_NL
单位重量
8 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicon AF TRANSISTOR
1:¥1.695
10:¥1.1639
100:¥0.48364
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.26103
参考库存:227164
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Silicon Double TRANSISTOR
1:¥2.9154
10:¥2.0905
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
3,000:¥0.63054
参考库存:3101
晶体管
IGBT 模块
1:¥1,865.7543
5:¥1,820.882
10:¥1,775.6142
25:¥1,750.7203
参考库存:2228
晶体管
MOSFET N-Ch 60 Volt 23 Amp
1:¥11.526
10:¥9.831
100:¥7.5823
500:¥6.7122
参考库存:11625
晶体管
MOSFET MOSFET
1:¥19.1309
10:¥17.2099
25:¥15.4471
100:¥13.8312
2,500:¥8.3733
5,000:查看
参考库存:13952
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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