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晶体管
SQP100P06-9M3L_GE3参考图片

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SQP100P06-9M3L_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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数量单价合计
1
¥22.8938
22.8938
10
¥18.984
189.84
100
¥15.594
1559.4
250
¥15.142
3785.5
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
7.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
300 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
187 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Tube
系列
SQ
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
82 S
下降时间
36 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
85 ns
典型接通延迟时间
18 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UMF21NTR
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP/DTR BIP 12V .5A
1:¥3.616
10:¥2.4973
100:¥1.1413
1,000:¥0.88366
3,000:¥0.75258
参考库存:46746
STF11NM65N
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Channel 650V Pwr Mosfet
1:¥18.1365
10:¥15.368
100:¥12.2944
500:¥10.8367
1,000:¥8.9157
参考库存:3819
F35W60C3-7100
Shindengen
晶体管
MOSFET Hi Switching Speed High Voltage
1:¥95.2025
10:¥88.9084
25:¥83.4505
50:¥72.3087
参考库存:46753
DTB743XETL
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DIGI -200MA/-30V
1:¥2.9154
10:¥2.0453
100:¥0.9379
1,000:¥0.72207
3,000:¥0.61472
参考库存:46758
IRFB20N50K
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFB20N50KPBF
1:¥85.9026
10:¥77.3033
50:¥70.4668
100:¥63.619
参考库存:46763

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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