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晶体管
IRFH9310TRPBF参考图片

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IRFH9310TRPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET 1 P-CH -30V HEXFET 7.7mOhms 11nC
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数量单价合计
1
¥11.1418
11.1418
10
¥9.4468
94.468
100
¥7.3111
731.11
500
¥6.4636
3231.8
4,000
¥4.5313
18125.2
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PQFN-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
21 A
Rds On-漏源导通电阻
4.6 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
165 nC
Pd-功率耗散
3.1 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
6 mm
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
5 mm
商标
Infineon / IR
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
零件号别名
SP001556540
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANTXV2N2218/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
286:¥50.3302
500:¥45.878
1,000:¥39.9568
参考库存:54649
JANS2N6989
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
50:¥1,400.1039
参考库存:54654
JAN2N2484UA
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥156.2112
250:¥143.3857
500:¥136.4701
参考库存:54659
FS150R17KE3G
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 1700V 150A 3-PHASE
4:¥2,771.1555
8:¥2,604.1076
参考库存:54664
STF6N65K3
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 1.1 Ohm 5.4A SuperMESH3
1:¥14.4414
10:¥12.2944
100:¥9.831
500:¥8.6106
参考库存:9932

  • 海量现货

    50万现货SKU

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