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晶体管
IPD90N04S4-03参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

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IPD90N04S4-03

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
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库存:27,168(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.7575
8.7575
10
¥7.4806
74.806
100
¥5.7404
574.04
500
¥5.0737
2536.85
2,500
¥3.5482
8870.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
90 A
Rds On-漏源导通电阻
2.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
66 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
94 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
OptiMOS-T2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14 ns
典型接通延迟时间
14 ns
零件号别名
IPD90N04S403ATMA1 IPD9N4S43XT SP000671630
单位重量
4 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CHANNEL_30/40V
1:¥10.8367
10:¥9.2208
100:¥7.0512
500:¥6.2263
5,000:¥4.3618
10,000:查看
参考库存:16423
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 2.575-2.635GHz 48V 110/220 Watt GaN
1:¥1,272.0862
25:¥1,110.1798
参考库存:1235
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PRMB11/SOT1268 DFN1412-6
1:¥2.3843
10:¥1.5933
100:¥0.66896
1,000:¥0.45313
参考库存:26107
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 30 V, 25 mOhm typ, 10 A STripFET H6 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥6.9156
10:¥5.7178
100:¥3.6838
1,000:¥2.9493
2,500:¥2.4973
参考库存:13069
晶体管
MOSFET N-CHANNEL_30/40V
1:¥21.6734
10:¥18.3625
100:¥15.9782
250:¥15.142
1,000:¥11.4469
2,000:查看
参考库存:5956
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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