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晶体管
CSD17578Q3A参考图片

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CSD17578Q3A

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET CSD17578Q3A 30 V 8-VSONP
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库存:187,185(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.7686
4.7686
10
¥3.9211
39.211
100
¥2.5312
253.12
1,000
¥2.034
2034
2,500
¥1.8419
4604.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSONP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
7.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
17.1 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
37 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.9 mm
长度
3.15 mm
系列
CSD17578Q3A
晶体管类型
1 N-Channel Power MOSFET
宽度
3 mm
商标
Texas Instruments
开发套件
TPS25740EVM-741, TPS25740AEVM-741, TPS25740BEVM-741
下降时间
1 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns
典型接通延迟时间
2 ns
单位重量
27.400 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V N-Ch Enh Mode FET 12Vgss 1.05W
1:¥2.6103
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
2,500:¥0.71416
10,000:¥0.66896
参考库存:79012
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-11
1:¥1.07576
10:¥0.92999
100:¥0.32996
1,000:¥0.22261
10,000:¥0.14577
20,000:查看
参考库存:119394
晶体管
MOSFET 30V 4A N-CHANNEL
1:¥2.9945
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.00683
参考库存:16096
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS5
1:¥86.219
10:¥78.3768
25:¥72.4556
50:¥68.5458
参考库存:1258
晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
1:¥3.5369
10:¥2.5199
100:¥1.1639
1,000:¥0.89157
3,000:¥0.76049
参考库存:23945
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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