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晶体管
IRF7749L1TRPBF参考图片

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IRF7749L1TRPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 60V 1.1mOhm 200nC 2.9V Hexfet
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库存：52,889(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥29.041
29.041
10
¥24.6679
246.679
100
¥21.357
2135.7
250
¥20.2835
5070.875
500
¥18.2156
9107.8
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DirectFET-L8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
200 A
Rds On-漏源导通电阻
1.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.9 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
200 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
125 W
配置
Single
商标名
DirectFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.74 mm
长度
9.15 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
7.1 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
280 S
下降时间
39 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
43 ns
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
78 ns
典型接通延迟时间
17 ns
零件号别名
SP001555556
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANTXV2N2221A
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
142:¥101.3497
250:¥92.434
500:¥86.445
1,000:¥79.3034
参考库存:55977
SSM3J120TU(TE85L)
Toshiba
晶体管
MOSFET Vds=-20V Id=-4A 3Pin
暂无价格
参考库存:55982
STGW60H65DFB
STMicroelectronics
晶体管
IGBT 晶体管 600V 60A trench gate field-stop IGBT
1:¥38.42
10:¥32.657
100:¥28.2726
250:¥26.8149
参考库存:9250
JANTX2N3867S
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥272.556
250:¥254.4195
参考库存:55989
JAN2N5682
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥231.8986
250:¥212.8468
参考库存:55994

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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