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晶体管
HN1C01FE-Y,LF参考图片

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HN1C01FE-Y,LF

  • Toshiba
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor for Small Signal Amp
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库存:51,631(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.4634
2.4634
10
¥1.5707
15.707
100
¥0.65314
65.314
1,000
¥0.44522
445.22
4,000
¥0.33787
1351.48
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
晶体管极性
NPN
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
100 mV
最大直流电集电极电流
150 mA
增益带宽产品fT
80 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
HN1C01
直流电流增益 hFE 最大值
400
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Toshiba
直流集电极/Base Gain hfe Min
120
Pd-功率耗散
100 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
4000
子类别
Transistors
单位重量
3 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SC88 DUAL GEN XSTR
1:¥3.2996
10:¥2.1357
100:¥0.91417
1,000:¥0.70738
3,000:¥0.53788
参考库存:121808
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Audio Amplifier
1:¥3.9211
10:¥3.0397
100:¥1.6498
1,000:¥1.2317
参考库存:28790
晶体管
IGBT 晶体管 600V UltraFast 8-25kHz
1:¥21.357
10:¥18.1365
100:¥14.5205
500:¥12.6786
参考库存:2312
晶体管
IGBT 模块 ACEPACK 2 converter inverter brake, 1200 V, 35 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTC
1:¥401.9523
5:¥392.8784
10:¥377.5895
25:¥365.3742
参考库存:2249
晶体管
MOSFET NChan 40V 76A 69W PowerTrench MOSFET
1:¥11.30
10:¥9.6841
100:¥7.4354
500:¥6.5766
3,000:¥4.5991
9,000:查看
参考库存:18271
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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