FZ400R33KL2C_B5原装正品_库存数量_PDF手册

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Infineon
产品种类	IGBT 模块
产品	IGBT Silicon Modules
配置	Single Dual Collector Dual Emitter
集电极—发射极最大电压 VCEO	3300 V
在25 C的连续集电极电流	750 A
封装 / 箱体	IHV73
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 125 C
封装	Tray
高度	48 mm
长度	140 mm
宽度	73 mm
商标	Infineon Technologies
安装风格	SMD/SMT
栅极/发射极最大电压	20 V
产品类型	IGBT Modules
工厂包装数量	4
子类别	IGBTs
零件号别名	FZ400R33KL2CB5NOSA1 SP000100621

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
CSD87503Q3ET	Texas Instruments	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 30-V Dual N-Channel MOSFET	1:¥7.8422 10:¥6.6896 100:¥5.1528 250:¥5.1528 500:¥4.5539	参考库存:4065
IPC100N04S5L1R9ATMA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET	1:¥9.0626 10:¥7.7631 100:¥5.9099 500:¥5.2206 5,000:¥3.6612 10,000:查看	参考库存:18532
SQJ486EP-T1_GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified	1:¥7.684 10:¥6.3732 100:¥4.8816 500:¥4.2036 1,000:¥3.3109 3,000:¥3.1527	参考库存:161524
FF1800R17IP5	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 模块	1:¥8,726.3346 5:¥8,586.87	参考库存:1691
QPD1003	Qorvo	晶体管	PDF数据手册	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 1.2-1.4GHz 500W 50V SSG 20dB GaN	1:¥4,702.608	参考库存:1683