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晶体管
CSD13380F3T参考图片

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CSD13380F3T

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 12V N ch MOSFET
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库存:23,743(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.9945
2.9945
10
¥2.0792
20.792
100
¥0.96841
96.841
250
¥0.96841
242.1025
1,000
¥0.7458
745.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PICOSTAR-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
3.6 A
Rds On-漏源导通电阻
76 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
550 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
1.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.4 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.35 mm
长度
0.73 mm
系列
CSD13380F3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
0.64 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
4.3 S
下降时间
3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
11 ns
典型接通延迟时间
4 ns
单位重量
0.300 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 10W PULSE PLD1.5
1:¥502.9969
5:¥492.3184
10:¥473.1084
25:¥457.8873
100:¥424.315
200:查看
参考库存:2483
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6 900MHZ 10W
1:¥159.7481
10:¥146.9226
25:¥140.3912
100:¥124.0966
500:¥107.1918
参考库存:4075
晶体管
MOSFET MOSFT PCh -20V -2.6A 135mOhm -2.5V cpbl
1:¥3.616
10:¥2.5651
100:¥1.1865
1,000:¥0.90626
3,000:¥0.77631
参考库存:111037
晶体管
MOSFET DUAL N-CHANNEL
1:¥3.842
10:¥3.1979
100:¥1.9549
1,000:¥1.5029
3,000:¥1.2882
参考库存:18594
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF 1.8-2.7G 15W TO270-2G
1:¥224.757
5:¥214.926
10:¥207.3889
25:¥180.9582
500:¥156.0643
参考库存:3251
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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