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晶体管
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IPD90R1K2C3ATMA1

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库存：87,086(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.9893
11.9893
10
¥10.2152
102.152
100
¥7.8422
784.22
500
¥6.9495
3474.75
2,500
¥4.859
12147.5
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
900 V
Id-连续漏极电流
5.1 A
Rds On-漏源导通电阻
1.2 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
28 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
83 W
配置
Single
商标名
CoolMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
CoolMOS C3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
40 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
400 ns
典型接通延迟时间
70 ns
零件号别名
IPD90R1K2C3 SP001117752
单位重量
4 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JAN2N6300
Microsemi
晶体管
达林顿晶体管 Power BJT
100:¥274.0928
250:¥255.7981
参考库存:52523
1214-32L
Microsemi
晶体管
射频(RF)双极晶体管 L-Band/Bipolar Radar Transistor
10:¥2,347.5411
25:¥2,314.6468
参考库存:52528
JAN2N3635UB
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥140.7754
250:¥128.3228
500:¥120.0964
参考库存:52533
BSM200GA120DLCS
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 1200V 200A SINGLE
10:¥945.2902
30:¥925.4587
50:¥925.3796
100:¥879.1287
参考库存:52538
FZT593TA
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Medium Power
1:¥4.8364
10:¥4.0454
100:¥2.6103
1,000:¥2.0905
参考库存:32776

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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