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晶体管
SSM6N43FU,LF参考图片

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SSM6N43FU,LF

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET Small-signal MOSFET
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库存:36,148(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.0002
4.0002
10
¥2.2261
22.261
100
¥0.95259
95.259
1,000
¥0.72998
729.98
3,000
¥0.5537
1661.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
500 mA
Rds On-漏源导通电阻
460 mOhms, 460 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
350 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
1.23 nC, 1.23 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
200 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.9 mm
长度
2 mm
系列
SSM6N43
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
1.25 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
75 ns, 75 ns
典型接通延迟时间
30 ns, 30 ns
单位重量
7.500 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
3,000:¥0.75258
12,000:¥0.75258
24,000:¥0.69156
45,000:¥0.66896
参考库存:46193
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥388.042
2:¥377.5104
5:¥367.0692
10:¥356.6167
参考库存:46198
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 200mW
1:¥1.921
10:¥1.7628
100:¥1.1639
1,000:¥0.39211
3,000:¥0.32318
参考库存:46203
晶体管
MOSFET 60A Dual Intg Pwr Block
1:¥50.2511
10:¥45.4147
25:¥43.2564
100:¥37.5725
3,000:¥27.4364
参考库存:46208
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
1:¥254.1822
5:¥251.5719
10:¥234.4411
25:¥223.9095
参考库存:46213
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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