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晶体管

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APTGT100A60T1G

  • Microsemi
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  • IGBT 模块 Power Module - IGBT
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库存:3,375(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥401.489
401.489
5
¥389.3528
1946.764
10
¥377.8946
3778.946
25
¥354.3115
8857.7875
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
在25 C的连续集电极电流
150 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
340 W
封装 / 箱体
SP1-12
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
80 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 30V Dual Enh 20Vgss 1.1W 1115pF
1:¥4.0002
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
3,000:¥1.3334
参考库存:9899
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt
1:¥211.1518
200:¥211.1518
参考库存:4366
晶体管
MOSFET NFET 2X2 30V 4.6A 70MOHM
1:¥4.4522
10:¥3.6951
100:¥2.3843
1,000:¥1.9097
3,000:¥1.6159
参考库存:208973
晶体管
MOSFET Nch+Pch 30V Vds 7A 0.03Rds(on) 7.2Qg
1:¥11.526
10:¥9.7632
100:¥7.8422
500:¥6.8591
1,000:¥5.6839
2,500:¥5.2997
参考库存:3565
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SOT23 GP XSTR NPN
1:¥2.6103
10:¥1.7515
100:¥0.72998
1,000:¥0.49946
3,000:¥0.39211
9,000:¥0.33787
参考库存:53102
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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