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晶体管
TK560P60Y,RQ参考图片

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TK560P60Y,RQ

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch DTMOSV 600V 60W 380pF 7.0A
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库存:33,016(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.8311
11.8311
10
¥9.4468
94.468
100
¥8.2942
829.42
500
¥6.4297
3214.85
1,000
¥5.0737
5073.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DPAK-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
7 A
Rds On-漏源导通电阻
430 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
14.5 nC
最小工作温度
-
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
60 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
DTMOSV
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
TK560P60Y
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Toshiba
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
105 ns
典型接通延迟时间
50 ns
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V 8V-24V,TSOT23,3K
1:¥2.9945
10:¥2.1357
100:¥0.9831
1,000:¥0.75258
3,000:¥0.64523
参考库存:1070177
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPOLAR COMP.
1:¥3.0736
10:¥2.3843
100:¥1.2882
1,000:¥0.96841
3,000:¥0.83733
9,000:¥0.78422
参考库存:40339
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 80V 300mW
1:¥1.695
10:¥1.1639
100:¥0.48364
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.26103
参考库存:369786
晶体管
MOSFET 1.5V Drive Pch MOSFET
1:¥3.1527
10:¥2.5764
100:¥1.5707
1,000:¥1.2204
3,000:¥1.03734
参考库存:16023
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Combi
1:¥59.551
10:¥53.562
25:¥48.7934
100:¥44.0248
参考库存:1495
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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