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晶体管
BSC014N04LSI参考图片

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BSC014N04LSI

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
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库存:55,794(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥20.5208
20.5208
10
¥17.4472
174.472
100
¥13.9103
1391.03
500
¥12.2153
6107.65
1,000
¥10.0683
10068.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
1.45 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
55 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
96 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
BSC014N04
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
110 S
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
50 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
55 ns
典型接通延迟时间
16 ns
零件号别名
BSC014N04LSIATMA1 SP000953212
单位重量
100 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥1,118.9486
2:¥1,092.0546
5:¥1,076.0651
10:¥1,060.8553
参考库存:3143
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Voltage
1:¥17.1308
10:¥15.2098
100:¥12.2153
500:¥10.6785
参考库存:16675
晶体管
MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥22.9729
10:¥19.5151
100:¥16.9048
250:¥16.0573
800:¥12.1362
2,400:查看
参考库存:17097
晶体管
MOSFET N-Chan 60V 2.7 Amp
1:¥6.4523
10:¥5.6839
100:¥4.3844
500:¥3.2544
1,000:¥2.599
2,500:¥2.2826
参考库存:132644
晶体管
MOSFET 60V 22.7A N-CHANNEL QFET MOSFET
1:¥7.6049
10:¥6.5088
100:¥5.0059
500:¥4.4183
1,000:¥3.4917
2,500:¥3.3222
参考库存:27426
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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