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晶体管
FS150R12KE3参考图片

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FS150R12KE3

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库存:4,218(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,470.7176
1470.7176
5
¥1,435.3712
7176.856
10
¥1,399.7197
13997.197
25
¥1,380.0464
34501.16
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
205 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
700 W
封装 / 箱体
EconoPACK
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
12 mm
长度
35.6 mm
宽度
25.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FS150R12KE3BOSA1 SP000100417
单位重量
300 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 2A 50V
1:¥3.3787
10:¥2.6216
100:¥1.4238
1,000:¥1.06785
2,000:¥0.92208
10,000:¥0.86106
参考库存:40320
晶体管
MOSFET N-Chan 250V 8.1 Amp
1:¥15.9104
10:¥13.221
100:¥10.2943
500:¥8.9948
800:¥7.4241
参考库存:10107
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Ampl/Switch
1:¥24.2837
10:¥21.6734
100:¥19.7524
250:¥17.8314
参考库存:5674
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small Signal Transistor
1:¥14.6787
10:¥13.0628
100:¥10.4525
500:¥9.1417
参考库存:10036
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 300A 1200V
1:¥1,397.9456
5:¥1,364.2942
10:¥1,330.4055
25:¥1,311.817
参考库存:3713
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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