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晶体管
FS150R12KE3参考图片

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FS150R12KE3

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库存:4,218(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,470.7176
1470.7176
5
¥1,435.3712
7176.856
10
¥1,399.7197
13997.197
25
¥1,380.0464
34501.16
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
205 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
700 W
封装 / 箱体
EconoPACK
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
12 mm
长度
35.6 mm
宽度
25.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FS150R12KE3BOSA1 SP000100417
单位重量
300 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CH 60V HEXFET MOSFET D-PAK
1:¥12.9837
10:¥10.7576
100:¥8.3733
500:¥7.2885
1,000:¥6.0342
2,000:¥6.0342
参考库存:22749
晶体管
MOSFET 105V 41a 0.033 Ohms/VGS=10V
1:¥13.9894
10:¥11.8311
100:¥9.4468
500:¥8.2942
参考库存:11921
晶体管
达林顿晶体管 Seven NPN Array
1:¥4.068
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
2,000:¥1.3334
参考库存:40143
晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
1:¥4.6895
10:¥3.8759
100:¥2.3617
1,000:¥1.8306
3,000:¥1.5594
参考库存:31295
晶体管
MOSFET N-CH 60V 200MA
1:¥5.1528
10:¥4.2149
100:¥2.7233
1,000:¥2.1809
2,000:¥1.8419
参考库存:36852
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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