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晶体管
STP220N6F7参考图片

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STP220N6F7

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 60 V, 0.0021 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 package
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库存：3,674(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥25.5154
25.5154
10
¥21.6734
216.734
100
¥18.7467
1874.67
250
¥17.8314
4457.85
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
2.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
100 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
237 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
STripFET
封装
Tube
高度
4.6 mm
长度
15.75 mm
系列
STP220N6F7
宽度
10.4 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
29 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
103 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
54 ns
典型接通延迟时间
33 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMN3008SCP10-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFETBVDSS: 25V-30V
1:¥7.3789
10:¥6.328
100:¥4.859
500:¥4.294
1,000:¥3.39
3,000:¥3.39
参考库存:46486
DMT8012LFG-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 80V N-Ch Enh FET 20Vgs 9.5A 1949pF
3,000:¥3.0397
参考库存:46491
APT23F60S
Microsemi
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS8
1:¥58.7826
10:¥52.8614
25:¥48.1832
100:¥43.4937
参考库存:46496
BSC019N04LSATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET MV POWER MOS
1:¥11.8311
10:¥10.0683
100:¥8.0682
500:¥7.0625
5,000:¥5.2432
10,000:查看
参考库存:31159
DMJ70H600SH3
Diodes Inc. / Pericom
晶体管
MOSFET MOSFETBVDSS: 651V-800V
1:¥13.0628
10:¥11.1418
100:¥8.9157
500:¥7.7631
1,000:¥6.4636
参考库存:46503

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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