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晶体管
2SK3476(TE12L,Q)参考图片

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2SK3476(TE12L,Q)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 1A 3W 20V VDSS
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数量单价合计
1
¥45.7989
45.7989
10
¥36.8041
368.041
100
¥33.5836
3358.36
250
¥30.2727
7568.175
1,000
¥22.8938
22893.8
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
3 A
Vds-漏源极击穿电压
20 V
增益
11.4 dB
输出功率
7 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PW-X-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
520 MHz
系列
2SK3476
类型
RF Power MOSFET
商标
Toshiba
Pd-功率耗散
20 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.05 V
单位重量
80 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RTF025N03TL
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET N-CH 30V 1.4A TUMT3
1:¥4.5313
10:¥3.7177
100:¥2.3956
1,000:¥1.921
3,000:¥1.6159
参考库存:30985
SI9933CDY-T1-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET -20V Vds 12V Vgs SO-8
1:¥4.8364
10:¥3.9211
100:¥2.9832
500:¥2.4634
1,000:¥1.9662
2,500:¥1.7854
参考库存:27507
FDP5800
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 60V N-Ch Logic Level MOSFET
1:¥17.9783
10:¥15.2889
100:¥12.2153
500:¥10.6785
参考库存:10904
KSP13TA
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
达林顿晶体管 NPN Si Transistor Epitaxial Darlington
1:¥2.3843
10:¥1.582
100:¥0.66105
1,000:¥0.45313
2,000:¥0.35369
参考库存:72021
FS100R17PE4
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1700V 100A
1:¥1,348.7002
5:¥1,316.2692
10:¥1,283.6122
25:¥1,265.6339
参考库存:3498

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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