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晶体管
2SK3476(TE12L,Q)参考图片

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2SK3476(TE12L,Q)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 1A 3W 20V VDSS
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数量单价合计
1
¥45.7989
45.7989
10
¥36.8041
368.041
100
¥33.5836
3358.36
250
¥30.2727
7568.175
1,000
¥22.8938
22893.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
3 A
Vds-漏源极击穿电压
20 V
增益
11.4 dB
输出功率
7 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PW-X-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
520 MHz
系列
2SK3476
类型
RF Power MOSFET
商标
Toshiba
Pd-功率耗散
20 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.05 V
单位重量
80 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BSC500N20NS3GATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 200V 24A TDSON-8
1:¥12.9046
10:¥10.9158
100:¥8.7575
500:¥7.684
5,000:¥5.7065
参考库存:79485
FS20R06XE3
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 N-CH 600V 26A
1:¥293.2237
5:¥286.6923
10:¥273.6295
25:¥262.1826
参考库存:4677
DCP56-16-13
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1W 80V
1:¥3.0736
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
2,500:¥1.00683
参考库存:28289
TPH4R008NH,L1Q
Toshiba
晶体管
MOSFET U-MOSVIII-H 80V 100A 59nC MOSFET
1:¥21.7412
10:¥17.515
100:¥13.9894
500:¥12.2944
5,000:¥9.1417
10,000:查看
参考库存:28996
BCR 198W H6327
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 AF DIGITAL TRANSISTOR
1:¥1.7628
10:¥1.2204
100:¥0.50737
1,000:¥0.34578
3,000:¥0.27685
参考库存:122543

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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