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晶体管
IRFP4668PBF参考图片

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IRFP4668PBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET MOSFT 200V 130A 9.7mOhm 161nC Qg
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库存：26,613(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥50.4884
50.4884
10
¥45.6407
456.407
25
¥43.4937
1087.3425
100
¥37.7307
3773.07
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
130 A
Rds On-漏源导通电阻
9.7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
161 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
520 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
150 S
下降时间
74 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
105 ns
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
64 ns
典型接通延迟时间
41 ns
零件号别名
SP001572854
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPB60R120C7ATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥31.5835
10:¥26.8149
100:¥23.2102
250:¥22.0576
1,000:¥16.6788
2,000:查看
参考库存:8335
IPAW60R600CEXKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET CONSUMER
1:¥7.684
10:¥6.5653
100:¥5.0511
500:¥4.4635
1,000:¥3.5143
参考库存:17747
NVMTS0D7N06CLTXG
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET AFSM T6 60V LL NCH
1:¥39.0302
10:¥33.1994
100:¥28.7359
250:¥27.2782
3,000:¥19.5942
参考库存:17889
PBSS4350X,135
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS BISS TAPE-11
1:¥2.9945
10:¥2.3391
100:¥1.2656
1,000:¥0.95259
4,000:¥0.82264
参考库存:122316
BC847A,215
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-7
1:¥0.99892
10:¥0.87575
100:¥0.30736
1,000:¥0.20792
3,000:¥0.16159
参考库存:711443

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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