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晶体管
TPH1R204PL,L1Q参考图片

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TPH1R204PL,L1Q

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR PD=132W
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数量单价合计
1
¥10.5994
10.5994
10
¥8.5315
85.315
100
¥6.5201
652.01
500
¥5.7517
2875.85
5,000
¥4.0341
20170.5
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOP-Advance-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
150 A
Rds On-漏源导通电阻
2.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
74 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
132 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.95 mm
长度
5 mm
系列
U-MOSIX-H
宽度
5 mm
商标
Toshiba
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
13 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
58 ns
典型接通延迟时间
33 ns
单位重量
851 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CMXT2207 TR
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual Complementary
6,000:¥1.2882
9,000:¥1.1978
24,000:¥1.1413
45,000:¥1.10627
参考库存:33607
FF200R17KE3_S4
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1200V 200A
10:¥987.6991
30:¥967.0314
50:¥966.9523
100:¥918.6222
参考库存:46319
AGR19060EF
Advanced Semiconductor, Inc.
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.93-1.99GHz 12Watt Gain 15.5dB
10:¥699.244
30:¥619.3304
50:¥559.3952
100:¥539.4168
参考库存:46324
2N3507AU4
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥437.8298
参考库存:46329
CBCP69
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 25V 2A PNP
2,000:¥2.9154
10,000:¥2.8137
25,000:¥2.7233
参考库存:46334

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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