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晶体管
BSC010NE2LSIATMA1参考图片

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BSC010NE2LSIATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
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库存:50,879(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.6786
12.6786
10
¥10.7576
107.576
100
¥8.6106
861.06
500
¥7.571
3785.5
5,000
¥5.6274
28137
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
900 uOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
78 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
96 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
80 S
下降时间
4.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6.2 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
32 ns
典型接通延迟时间
6.3 ns
零件号别名
BSC010NE2LSI BSC1NE2LSIXT SP000854376
单位重量
118.700 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch, 600V-0.85ohms 7A
1:¥21.6734
10:¥18.3625
100:¥14.7578
500:¥12.9046
参考库存:5763
晶体管
JFET SS SOT23 JFET NCH 30V TR
1:¥4.6104
10:¥3.8081
100:¥2.4634
1,000:¥1.9662
3,000:¥1.6724
参考库存:15245
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥553.248
10:¥461.04
25:¥414.936
50:¥368.832
参考库存:4472
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Triple Diffused Planar Silicon
1:¥8.2942
10:¥7.0512
100:¥5.4127
500:¥4.7912
参考库存:9374
晶体管
MOSFET 40V N-Ch NexFET Pwr MOSFET
1:¥9.9101
10:¥8.4524
100:¥6.4975
500:¥5.7404
参考库存:7436
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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