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晶体管
MRFE6VP61K25HSR5参考图片

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MRFE6VP61K25HSR5

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230HS
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数量单价合计
1
¥1,350.0788
1350.0788
5
¥1,319.953
6599.765
10
¥1,292.9121
12929.121
25
¥1,273.849
31846.225
50
¥1,227.5981
61379.905
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
10 uA
Vds-漏源极击穿电压
133 V
增益
24 dB
输出功率
1.25 kW
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230S
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
1.8 MHz, 600 MHz
系列
MRFE6VP61K25H
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
Pd-功率耗散
1.333 kW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
零件号别名
935314409178
单位重量
8.488 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Low Saturation
1:¥5.3788
10:¥4.5313
100:¥2.9154
1,000:¥2.3391
参考库存:6109
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DUAL PNP 200mW
1:¥3.1527
10:¥2.0001
100:¥0.86106
1,000:¥0.66105
3,000:¥0.49946
参考库存:21181
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 9.1A TO220FP-3
1:¥8.4524
10:¥7.2772
100:¥5.5822
500:¥4.9381
1,000:¥3.8985
参考库存:5528
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3
1:¥10.7576
10:¥9.2208
100:¥7.0512
500:¥6.2263
1,000:¥4.9155
参考库存:10495
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Hi-Curr High Spd
1:¥56.6356
10:¥51.1777
25:¥48.7934
100:¥42.3411
参考库存:1952
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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