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晶体管
SI2319DS-T1-E3参考图片

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SI2319DS-T1-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 40V 3.0A 1.25W 82 mohms @ 10V
  • 数据手册下载
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库存:378,021(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.8421
5.8421
10
¥4.6669
46.669
100
¥3.5369
353.69
500
¥2.9154
1457.7
1,000
¥2.3391
2339.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
3.0 A
Rds On-漏源导通电阻
82 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
17 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.25 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.45 mm
长度
2.9 mm
系列
SI2
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.6 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
7 S
下降时间
25 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
7 ns
零件号别名
SI2319DS-E3
单位重量
8 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 100 Volt 6 Amp
1:¥7.2207
10:¥6.2263
100:¥4.7799
500:¥4.2262
2,500:¥2.9606
10,000:查看
参考库存:43935
晶体管
MOSFET 600V NCH MOSFET
1:¥17.2099
10:¥14.5996
100:¥11.6842
500:¥10.2152
参考库存:7627
晶体管
MOSFET 30V 28A 0.004Ohm
1:¥13.673
10:¥12.9046
3,000:¥12.9046
参考库存:31769
晶体管
MOSFET 100V 1 N-CH 10.3mOhm DirectFET 20V 3.7Vgs
1:¥17.3681
10:¥14.7578
100:¥11.8311
500:¥10.2943
4,800:¥7.684
9,600:查看
参考库存:68111
晶体管
MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 3.7mOhms
1:¥20.8259
10:¥17.6732
100:¥15.2889
250:¥14.5205
参考库存:7318
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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