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晶体管
STL100N8F7参考图片

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STL100N8F7

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 80 V, 5.2 mOhm typ., 100 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
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数量单价合计
1
¥18.1365
18.1365
10
¥15.368
153.68
100
¥12.2944
1229.44
500
¥10.8367
5418.35
3,000
¥8.3733
25119.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT-5x6-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
6.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
46.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
120 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
STripFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STL100N8F7
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
32 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
95 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
60 ns
典型接通延迟时间
49 ns
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥170.8899
250:¥156.8327
500:¥149.2956
参考库存:51869
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 60 Watt
暂无价格
参考库存:51874
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 0.1A TRANSISTOR LOG
暂无价格
参考库存:51879
晶体管
MOSFET MOSFET N-Ch 60V 70A Rdson=0.0058Ohm
暂无价格
参考库存:51884
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥152.4483
250:¥139.8488
500:¥133.1592
参考库存:51889
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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