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晶体管
CSD25484F4T参考图片

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CSD25484F4T

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 20V P-Ch FemtoFET MOSFET
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库存:27,763(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.2996
3.2996
10
¥2.5312
25.312
100
¥1.3673
136.73
250
¥1.3673
341.825
1,000
¥1.02943
1029.43
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PICOSTAR-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
2.5 A
Rds On-漏源导通电阻
825 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
1.09 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
FemtoFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.2 mm
长度
1 mm
系列
CSD25484F4
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
0.6 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
3.5 S
下降时间
8.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18 ns
典型接通延迟时间
9.5 ns
单位重量
0.400 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 501V-650V
1:¥6.8365
10:¥5.7856
100:¥4.4409
500:¥3.9211
1,000:¥3.1075
参考库存:8585
晶体管
MOSFET NFET DPAK 30V 54A 10MOHM
1:¥5.989
10:¥4.9381
100:¥3.1866
1,000:¥2.5538
2,500:¥2.147
参考库存:30662
晶体管
JFET JFET P-Channel 30V 10Vgs 15Vds -90mA
1:¥20.9728
10:¥16.9048
100:¥13.5261
500:¥11.9102
参考库存:30667
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Extremely High Voltage
1,000:¥1.6724
4,000:¥1.6724
10,000:¥1.6046
25,000:¥1.5368
50,000:¥1.5142
参考库存:62447
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP HV 100MA 300V
1:¥1.921
10:¥1.2769
100:¥0.52997
1,000:¥0.3616
3,000:¥0.28476
参考库存:106399
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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