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晶体管
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IRFU3410PBF

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数量单价合计
1
¥7.2207
7.2207
10
¥6.1811
61.811
100
¥4.7573
475.73
500
¥4.2036
2101.8
1,000
¥3.3222
3322.2
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
31 A
Rds On-漏源导通电阻
39 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
37 nC
Pd-功率耗散
110 W
配置
Single
封装
Tube
高度
6.22 mm
长度
6.73 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
2.38 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
零件号别名
SP001578398
单位重量
4 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RJP60D0DPK-00#T0
Renesas Electronics
晶体管
IGBT 晶体管 Power Module - Lead Free
1:¥24.3628
10:¥21.7412
25:¥19.5942
50:¥18.6676
参考库存:48692
TPR700
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射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor
25:¥2,634.3012
参考库存:48697
DMA561060R
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双极晶体管 - 预偏置 Transistor w/resistr 2.0x2.1mm Flat lead
3,000:¥0.53788
9,000:¥0.49155
24,000:¥0.46104
45,000:¥0.4068
参考库存:48702
SST6427T116
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10:¥2.3843
100:¥1.2882
1,000:¥0.96841
3,000:¥0.83733
参考库存:48707
6PS03012E33G34160
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块
1:¥34,030.3568
参考库存:48712

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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