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晶体管
IHW40N120R3FKSA1参考图片

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IHW40N120R3FKSA1

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库存:5,075(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥41.9569
41.9569
10
¥35.6515
356.515
100
¥30.8942
3089.42
250
¥29.3574
7339.35
500
¥26.2838
13141.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
429 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RC
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IHW40N120R3 SP000999770
单位重量
4.400 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
1:¥37.4256
10:¥31.8095
100:¥27.5042
250:¥26.1256
500:¥23.4362
参考库存:3366
晶体管
IGBT 晶体管 1000V 40A Field Stop Trench IGBT
1:¥39.0302
10:¥33.1994
100:¥28.7359
250:¥27.2782
参考库存:4083
晶体管
MOSFET T6 60V NCH LL U8FL WF
1:¥6.7574
10:¥5.6613
100:¥3.6612
1,000:¥2.9267
1,500:¥2.4634
参考库存:16230
晶体管
MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET
1:¥11.6842
10:¥9.9101
100:¥7.6388
500:¥6.7461
2,500:¥4.7234
10,000:查看
参考库存:3247
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS NPN 200mW
1:¥1.6159
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:47504
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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