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晶体管
TSM70N600CI C0G参考图片

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TSM70N600CI C0G

  • Taiwan Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 700V 8A N-Channel Power MOSFET,
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库存:11,070(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥17.2099
17.2099
10
¥15.594
155.94
100
¥12.5204
1252.04
500
¥9.7632
4881.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
ITO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
700 V
Id-连续漏极电流
8 A
Rds On-漏源导通电阻
500 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
12.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Taiwan Semiconductor
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
21 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss
1:¥24.747
10:¥21.0519
100:¥18.2156
250:¥17.289
参考库存:6343
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
1:¥6.6105
10:¥5.5031
100:¥3.5482
1,000:¥2.8476
2,500:¥2.8476
参考库存:19210
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥46.6464
10:¥42.1829
25:¥40.1828
100:¥34.8831
参考库存:6002
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP+PNP SOT-363 10kO Input Resist
1:¥2.6894
10:¥1.7967
100:¥0.75258
1,000:¥0.51528
3,000:¥0.40002
参考库存:33179
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 60Vcbo 30Vceo 5.0Vebo 800mA 800mW
1:¥15.594
10:¥13.8312
100:¥11.0627
500:¥9.7632
参考库存:8181
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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