PSMN7R6-60PS,127原装正品_库存数量_PDF手册

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Nexperia
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	Through Hole
封装 / 箱体	TO-220-3
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	60 V
Id-连续漏极电流	92 A
Rds On-漏源导通电阻	7.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	4.6 V
Vgs - 栅极-源极电压	20 V
Qg-栅极电荷	38.7 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 175 C
Pd-功率耗散	149 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
封装	Tube
高度	9.4 mm
长度	10.3 mm
晶体管类型	1 N-Channel
类型	N-Channel 60 V 7.8 mOhms Standard Level MOSFET
宽度	4.7 mm
商标	Nexperia
下降时间	13 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	21 ns
工厂包装数量	50
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	37 ns
典型接通延迟时间	19 ns
单位重量	6 g

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
IRF9952TRPBF	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 30V 3.5A	1:¥5.9212 10:¥4.9155 100:¥3.1753 1,000:¥2.5425 4,000:¥2.5425	参考库存:13356
STW23NM50N	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 500V 0.162 Ohm 17A MDmesh II PWR	1:¥41.7196 10:¥35.5046 100:¥30.736 250:¥29.1992	参考库存:6548
PMPB43XPE,115	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	MOSFET PMPB43XPE/SOT1220/REEL 7" Q1/T	1:¥3.616 10:¥2.7233 100:¥1.4803 1,000:¥1.1865 3,000:¥1.11418	参考库存:15755
BD13810STU	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Sil	1:¥3.616 10:¥2.938 100:¥1.7854 1,000:¥1.3786 2,500:¥1.1865	参考库存:19757
BSP32,115	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS MED PWR TAPE-7	1:¥4.7686 10:¥4.0002 100:¥2.4408 1,000:¥1.8871 2,000:¥1.6046	参考库存:7609