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晶体管
SIA459EDJ-T1-GE3参考图片

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SIA459EDJ-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
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数量单价合计
1
¥4.0002
4.0002
10
¥2.9945
29.945
100
¥2.2261
222.61
500
¥1.8306
915.3
3,000
¥1.2882
3864.6
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SC70-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
9 A
Rds On-漏源导通电阻
28 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
30 nC
最小工作温度
- 50 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
15.6 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SIA
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
15 S
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
20 ns
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SST3906T116
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40V 200MA
1:¥2.5312
10:¥1.6837
100:¥0.70738
1,000:¥0.47686
3,000:¥0.37629
参考库存:8230
RN1105MFV,L3F
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 VESM PLN TRANSISTOR Pd 150mW F 1MHz
1:¥1.4577
10:¥1.1865
100:¥0.42262
1,000:¥0.29154
8,000:查看
参考库存:14942
MG12450WB-BN2MM
Littelfuse
晶体管
IGBT 模块 1200V 450A Dual
1:¥1,547.0943
参考库存:1754
2SC4082T106P
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 20V 50MA SOT-323
1:¥3.2318
10:¥2.2261
100:¥1.02152
1,000:¥0.78422
3,000:¥0.66896
参考库存:5866
IPL60R065C7AUMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥55.1666
10:¥49.8669
25:¥47.5617
100:¥41.2676
3,000:¥30.1258
参考库存:16733

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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    4小时快速发货

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