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晶体管
CGHV1J006D-GP4参考图片

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CGHV1J006D-GP4

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-18GHz, 6 Watt
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数量单价合计
10
¥245.2778
2452.778
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
17 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
0.8 A
输出功率
6 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
-
最大工作温度
-
Pd-功率耗散
-
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Die
封装
Gel Pack
应用
-
配置
Single
高度
100 um
长度
840 um
工作频率
10 MHz to 18 GHz
工作温度范围
-
产品
GaN HEMT
宽度
800 um
商标
Wolfspeed / Cree
闸/源截止电压
-
-
开发套件
-
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
2.3 Ohms
上升时间
-
工厂包装数量
10
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 650A
1:¥867.1394
5:¥851.229
10:¥812.8881
25:¥785.8472
参考库存:3170
晶体管
MOSFET N-channel 80 V, 4.2 mOhm typ., 110 A STripFET F7 Power MOSFET in an H2PAK-2 package
1:¥14.2154
10:¥12.0684
100:¥9.6841
500:¥8.4524
1,000:¥7.0286
参考库存:8157
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 11A DPAK-2 CoolMOS C7
1:¥17.063
10:¥14.5205
100:¥11.6051
500:¥10.1474
1,000:¥8.3733
2,500:¥8.3733
参考库存:15659
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS8
1:¥147.6119
10:¥134.1649
25:¥124.0966
50:¥117.3392
参考库存:3346
晶体管
MOSFET Dual N-channel 60 V, 9 mOhm typ., 57 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 double island package
1:¥6.4523
10:¥5.3675
100:¥3.4578
1,000:¥2.7685
3,000:¥2.3391
参考库存:3203
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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