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晶体管
MJH11019G参考图片

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MJH11019G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 20A 200V Bipolar Power PNP
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库存:6,030(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥30.4309
30.4309
10
¥25.8996
258.996
100
¥22.4418
2244.18
250
¥21.2892
5322.3
500
¥19.1309
9565.45
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
配置
Single
晶体管极性
PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO
200 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—基极电压 VCBO
200 V
最大直流电集电极电流
15 A
Pd-功率耗散
150 W
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MJH11019
封装
Tube
高度
12.2 mm
长度
15.2 mm
宽度
4.9 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
15 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
100, 400
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
30
子类别
Transistors
单位重量
6.500 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET DUAL N-CH EH MODE 20V 45mOhm 4.5A
1:¥3.842
10:¥2.9832
100:¥1.6159
1,000:¥1.2091
2,500:¥1.04525
10,000:¥0.97632
参考库存:51346
晶体管
JFET N-Ch Junction FET 10mA -50V VGDS
1:¥4.1471
10:¥2.7572
100:¥1.5481
1,000:¥1.12209
3,000:¥0.96841
参考库存:16358
晶体管
MOSFET Dual P-channel 100 V, 0.136 Ohm typ., 3.3 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET in a PowerFLAT(TM) 5x6 double island
1:¥10.9836
10:¥9.379
100:¥7.1868
500:¥6.3506
3,000:¥4.4522
9,000:查看
参考库存:16255
晶体管
MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH
1:¥5.1528
10:¥4.2827
100:¥2.7685
1,000:¥2.2148
3,000:¥1.8645
参考库存:16362
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 280mA SOT-323-3
1:¥2.6894
10:¥1.7402
100:¥0.7458
1,000:¥0.5763
10,000:¥0.39211
20,000:查看
参考库存:151104
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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