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晶体管
BF1105R,215参考图片

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BF1105R,215

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Trans MOSFET N-CH 7V 0.03A 4pin(3+Tab)
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库存:133,169(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.3787
3.3787
10
¥2.9945
29.945
25
¥2.7007
67.5175
100
¥2.3617
236.17
3,000
¥1.2882
3864.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
30 mA
Vds-漏源极击穿电压
7 V, 7 V
Rds On-漏源导通电阻
-
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-143R-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single Dual Gate
高度
1 mm
长度
3 mm
类型
RF Small Signal MOSFET
宽度
1.4 mm
商标
NXP Semiconductors
通道模式
Enhancement
Pd-功率耗散
200 mW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
7 V, 7 V
Vgs th-栅源极阈值电压
0.8 V
零件号别名
934050330215
单位重量
9.100 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V N-CH Fast SwitCH PwrTrenCH MOSFET
1:¥8.0682
10:¥6.8591
100:¥5.2658
500:¥4.6556
1,000:¥3.6838
2,500:¥3.6838
参考库存:21187
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥1,386.1145
2:¥1,352.7682
5:¥1,333.0158
10:¥1,314.1222
参考库存:3539
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Voltage
1:¥27.8884
10:¥24.973
100:¥22.7469
250:¥20.5208
参考库存:10766
晶体管
MOSFET N-CH 500V HEXFET MOSFET D-PAK
1:¥7.5258
10:¥6.1811
2,000:¥6.1811
参考库存:16903
晶体管
MOSFET 1.8V P-Channel
1:¥6.0681
10:¥4.9042
100:¥3.729
500:¥3.0736
1,000:¥2.4634
2,500:¥2.2261
参考库存:83765
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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