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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Nexperia
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Dual
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	10 kOhms
典型电阻器比率	0.213
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-666-6
直流集电极/Base Gain hfe Min	100
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	200 mW
最小工作温度	- 65 C
最大工作温度	+ 150 C
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
发射极 - 基极电压 VEBO	10 V
高度	0.6 mm
长度	1.7 mm
宽度	1.3 mm
商标	Nexperia
通道数量	2 Channel
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
资格	AEC-Q101
工厂包装数量	4000
子类别	Transistors
零件号别名	PEMH9 T/R
单位重量	2.820 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
RQ5H020SPTL	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Pch -45V -2.0A Power MOSFET	1:¥3.6838 10:¥3.0623 100:¥1.8645 1,000:¥1.4464 3,000:¥1.2317	参考库存:23334
RQ3E180BNTB	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET	1:¥4.2262 10:¥3.4917 100:¥2.1357 1,000:¥1.6498 3,000:¥1.4012	参考库存:8711
CSD23382F4T	Texas Instruments	晶体管	PDF数据手册	MOSFET P-Ch NexFET Power MOSFET	1:¥2.9945 10:¥2.2261 100:¥1.2204 250:¥1.2204 1,000:¥0.91417	参考库存:12498
BC548BTA	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 30V 100mA HFE/450	1:¥1.7628 10:¥1.1639 100:¥0.48364 1,000:¥0.32996 2,000:¥0.26103	参考库存:44830
SSM3J334R,LF	Toshiba	晶体管	PDF数据手册	MOSFET P-Ch U-MOSVI FET ID -4A -30VDSS 280pF	1:¥4.0002 10:¥2.2261 100:¥0.95259 1,000:¥0.72998 3,000:¥0.5537	参考库存:148612