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晶体管
STD12NF06L-1参考图片

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STD12NF06L-1

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 60 Volt 12 Amp
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库存:60,429(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.0683
10.0683
10
¥8.6106
86.106
100
¥6.5879
658.79
500
¥5.8308
2915.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
100 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
30 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
STripFET
封装
Tube
高度
6.2 mm
长度
6.6 mm
系列
STD12NF06L-1
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
2.4 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
7 S
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
35 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CH 600V HEXFET MOSFET
1:¥19.3682
10:¥16.1364
100:¥12.5204
500:¥10.9158
参考库存:10666
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Sil
1:¥3.6838
10:¥3.1075
100:¥1.8871
1,000:¥1.4577
参考库存:38238
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1310H/CFM4F///REEL 13
1:¥855.2292
5:¥838.5504
10:¥810.888
25:¥776.6264
参考库存:3535
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 0.7A 160V
1:¥3.4578
10:¥2.8702
100:¥1.7515
1,000:¥1.356
2,000:¥1.1526
10,000:¥1.1413
参考库存:81387
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-400MHz 15Watts 28Volt Gain 16dB
1:¥188.032
10:¥184.3369
参考库存:4619
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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