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晶体管
MRF8S9120NR3参考图片

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MRF8S9120NR3

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 900MHZ 120W OM780-2
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数量单价合计
1
¥410.5516
410.5516
5
¥398.6414
1993.207
10
¥390.1212
3901.212
25
¥373.6684
9341.71
250
¥331.3386
82834.65
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
70 V
增益
20 dB
输出功率
33 W
最小工作温度
- 30 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
OM-780-2
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
0.7 GHz to 1 GHz
系列
MRF8S9120N
商标
NXP / Freescale
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
零件号别名
935310448528
单位重量
3.081 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 93.3nC
1:¥18.3625
10:¥15.594
100:¥12.4526
500:¥10.9158
参考库存:18362
晶体管
IGBT 晶体管 The reverse conducting TRENCHSTOP 5 WR5 IGBT was specifically optimized for full rated hard switching turn off typically found in Welding inverter application. Excellent price/performance ratio of WR5 IGBT allows access to the high performance techno
1:¥31.5835
10:¥26.894
100:¥23.278
250:¥22.1254
500:¥19.8202
参考库存:5604
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor General Purpose
1:¥1.8419
10:¥1.2882
100:¥0.53788
1,000:¥0.36838
3,000:¥0.28476
参考库存:292346
晶体管
JFET JFET N-Channel -25V 60mA 10Vds -15Vgs
1:¥23.5153
10:¥18.9049
100:¥15.5262
500:¥13.9894
参考库存:4528
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7
1:¥1.3108
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
3,000:¥0.2147
参考库存:44645
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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